檢索結果:共6筆資料 檢索策略: "陳炤彰".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="化學機械拋光"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
在現今半導體晶片製程中,為達到更小的元件關鍵尺寸(Critical Dimension, CD),化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)逐漸成…
2
在現今半導體晶片製程中,為了增加效能採用多層的電路設計,使得各層電路之平坦化製程相對重要,因此在半導體製程中化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CM…
3
化學機械平坦化 (Chemical-Mechanical Planarization/Polishing, CMP)為半導體製造製程之一,隨著線寬持續往奈米等級發展,每層電路的平坦度變的格外重要,C…
4
電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求,因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件,然而單晶碳化矽具有…
5
澳洲聯邦科學暨工業研究院與德國聯邦物理技術研究院使用 Cup-type球拋機搭配氧化鋁磨料研光和粗拋與酸性的二氧化鈦拋光液精拋製出單晶矽晶球,並在2019 成為最新的國際質量原器。本研究自行設計四旋…
6
本研究 之目的 為 研發線上量測軟拋墊之 磨耗率 (Pad Wearing Rate, PWR)與 性能指標應用於化學機械拋光之製程 透過 先前 開 發之動態量測 拋光墊性能指標系統 以 自行研發 …